KIOXIA y Sandisk lanzan la memoria NAND QLC 10G

KIOXIA Europe GmbH ha anunciado que KIOXIA Corporation y Sandisk Corporation han presentado su tecnología de memoria flash 3D de celdas de nivel cuádruple (QLC) de décima generación. Gracias a una arquitectura de 332 capas y a un diseño optimizado de la matriz de celdas, esta innovación ofrece un incremento en la densidad de bits de hasta un 60 % en comparación con la tecnología de octava generación. Con una densidad que supera los 37 Gb/mm², establece un nuevo récord en la industria del almacenamiento en términos de capacidad, rendimiento y eficiencia energética.

Innovaciones arquitectónicas y ancho de banda récord
A través del uso de la tecnología CBA (CMOS Directly Bonded to Array) —en la cual la lógica CMOS y la matriz de memoria, fabricadas en obleas separadas, se conectan con gran precisión—, esta nueva generación se convierte en la primera memoria flash 3D QLC del sector en alcanzar una interfaz de 4,8 Gb/s, impulsada por el estándar Toggle DDR6.0 y el protocolo Separate Command Address (SCA). Asimismo, la tecnología Power-Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT) optimiza la eficiencia energética de las transferencias de datos de E/S. Según Axel Störmann (vicepresidente y director tecnológico de KIOXIA Europe GmbH) y Alper Ilkbahar (director tecnológico de Sandisk), estos avances en densidad y ancho de banda son indispensables para responder al crecimiento sin precedentes en las cargas de trabajo asociadas a los centros de datos a gran escala, la inteligencia artificial generativa y los sistemas agenticos y físicos.

Contexto adicional: Antecedentes tecnológicos y dinámica del mercado
Este apartado ofrece un contexto tecnológico y de mercado que no se detalla explícitamente en el comunicado original.

El incremento continuo en el número de capas de las memorias NAND 3D es el método preferido por la industria para escalar masivamente la capacidad de almacenamiento sin ampliar la superficie física del chip. La tecnología QLC permite almacenar cuatro bits de datos por celda, lo que proporciona un coste por gigaocteto sumamente competitivo. La tecnología CBA representa un hito en la fabricación: al producir el circuito lógico y las celdas de memoria en dos obleas de silicio independientes antes de unirlas, los fabricantes pueden aplicar los procesos de grabado más idóneos para cada sección del chip. Esto elimina los cuellos de botella térmicos y permite alcanzar las velocidades extremas de lectura y escritura esenciales para el funcionamiento continuo de los grandes modelos de lenguaje (LLM) en las Granjas de servidores modernas.

Editado por Lekshman Ramdas, redactor de Induportals – adaptado por IA.

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