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MOSFETs de súper unión de 600V de alta eficiencia

ROHM presenta dispositivos de potencia de montaje en superficie para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación de servidores y respaldar aplicaciones industriales de alta densidad.

  www.rohm.com
MOSFETs de súper unión de 600V de alta eficiencia

ROHM ha lanzado las series R60xxXNx y R60xxWNx de MOSFETs de súper unión de 600V para abordar la creciente demanda de mayor densidad de potencia y eficiencia térmica en centros de datos y fuentes de alimentación industriales. Estos nuevos componentes integran capacidades de conmutación de alta velocidad con un empaquetado avanzado de montaje en superficie para respaldar arquitecturas electrónicas con limitaciones de espacio, incluidos los servidores de inteligencia artificial.

Abordando las limitaciones de densidad de potencia en los centros de datos
A medida que aumentan las cargas de procesamiento en los centros de datos y los servidores de IA, la correspondiente demanda de energía requiere un rendimiento térmico mejorado y un consumo de energía reducido. Las series R60xxXNx y R60xxWNx abordan esta limitación física mediante la transición a encapsulados compactos de montaje en superficie. La línea de productos incluye el DFN8080-5L que mide 8,0 por 8,0 por 0,85 milímetros y el encapsulado TOLL de 11,68 por 9,9 por 2,3 milímetros. Estos factores de forma de bajo perfil ofrecen la disipación de calor requerida para minimizar la acumulación térmica en circuitos de suministro de energía densamente empaquetados, permitiendo a los ingenieros maximizar el rendimiento dentro de espacios físicos restringidos.

Estandarización y compatibilidad de abastecimiento múltiple
Para mitigar los riesgos de adquisición de la cadena de suministro y facilitar la obtención de fuentes secundarias, estos encapsulados de montaje en superficie utilizan huellas comunes en el mercado. El voltaje umbral de compuerta requerido para encender el MOSFET se especifica entre 3V y 5V, alineándose con los requisitos estándar de la industria y permitiendo una amplia compatibilidad de condiciones de accionamiento. Esta especificación eléctrica permite a los diseñadores de hardware integrar estos componentes en configuraciones de suministro de energía existentes sin requerir modificaciones extensas en el circuito. Además, las características de admitancia mejoradas producen una menor pérdida operativa en comparación con iteraciones anteriores, como las series convencionales R60xxYNx y R60xxVNx.

Rendimiento de conmutación y versatilidad de aplicaciones
La cartera completa abarca 32 modelos distintos adaptados para prioridades operativas específicas. Esto incluye 21 modelos dentro de la serie R60xxXNx de conmutación de alta velocidad y 11 modelos en la serie R60xxWNx, que presenta características de recuperación de alta velocidad integradas. Esta división permite a los ingenieros de hardware seleccionar configuraciones basadas en requisitos arquitectónicos precisos, ya sea que el diseño priorice la compatibilidad de reemplazo directo de componentes o se centre completamente en minimizar las pérdidas de conmutación en equipos industriales.

Contexto adicional
Esta sección detalla las especificaciones técnicas y la evaluación comparativa competitiva que no se incluyen en el comunicado de prensa original.

El mercado de MOSFETs de súper unión de 600V presenta alternativas establecidas como la serie CoolMOS de Infineon, MDmesh de STMicroelectronics y SuperFET de onsemi. Dentro de estos ecosistemas competitivos, los encapsulados TOLL y DFN de 8x8 se utilizan sistemáticamente para lograr una baja inductancia parasitaria del empaquetado y capacidades de ciclo térmico superiores en comparación con los empaquetados tradicionales de orificio pasante. La evaluación comparativa objetiva de estos dispositivos de alto voltaje normalmente implica evaluar la resistencia de encendido específica multiplicada por la carga de la compuerta, una métrica establecida como la Figura de Mérito. Los encapsulados TOLL estándar de estos fabricantes proporcionan una reducción medible en el área de la huella en la placa de circuito impreso en comparación con los componentes D2PAK estándar, al tiempo que mantienen una resistencia térmica de unión a carcasa altamente comparable. El rango estandarizado de voltaje umbral de compuerta de 3V a 5V garantiza que los circuitos integrados de controladores de compuerta estándar puedan funcionar de manera intercambiable entre estas diferentes marcas, proporcionando la estabilidad de abastecimiento múltiple requerida para la fabricación automotriz e industrial de gran volumen.

Editado por Aishwarya Mambet, editora de Induportals, con asistencia de IA.

www.rohm.com

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