Las muestras de memoria HBM4E impulsan la infraestructura de IA

Samsung Electronics ha comenzado a enviar muestras de su memoria de alto ancho de banda HBM4E de 12 capas a importantes clientes internacionales, ampliando su hoja de ruta para memoria de inteligencia artificial e infraestructuras de computación a escala hiperescalar. La nueva plataforma HBM4E incrementa el ancho de banda, la densidad de memoria y la eficiencia térmica en comparación con la generación HBM4 anterior, respondiendo a las crecientes exigencias de los grandes modelos de lenguaje, aceleradores de IA y centros de datos de próxima generación.

El anuncio se produce después de que Samsung iniciara la producción en masa y el despliegue comercial de HBM4 a principios de 2026. Con HBM4E, la compañía se dirige a cargas de trabajo de IA cada vez más exigentes que requieren mayor rendimiento de memoria, menor consumo energético y una mejor gestión térmica.

Arquitectura HBM de 12 capas aumenta el ancho de banda y la densidad de memoria
Samsung ofrece inicialmente HBM4E en una configuración de 12 capas con una capacidad de 48 GB por pila de memoria. Según la empresa, esto representa un aumento de más del 30 % en capacidad respecto a la generación anterior. También están previstas versiones de 32 GB con ocho capas y de 64 GB con dieciséis capas.

La memoria alcanza velocidades estables de 14 Gbps por pin, escalables hasta 16 Gbps según la implementación del sistema. Samsung afirma que esto supone un incremento de rendimiento superior al 20 % frente a su plataforma HBM4. El ancho de banda total alcanza hasta 3,6 TB/s por pila, lo que permite satisfacer las demandas de procesamiento de datos de grandes modelos de lenguaje, sistemas de entrenamiento de IA y aplicaciones de computación de alto rendimiento.

Las tecnologías de memoria de alto ancho de banda se utilizan cada vez más junto con aceleradores de IA y procesadores gráficos debido a que ofrecen una capacidad de transferencia de datos significativamente superior a la de la memoria DRAM convencional para servidores, al tiempo que reducen la latencia entre la memoria y los recursos de cómputo.

Tecnologías avanzadas de DRAM y fundición mejoran la fabricación
La plataforma HBM4E combina la tecnología DRAM de sexta generación de clase 10 nm de Samsung, denominada 1c DRAM, con un chip lógico base de 4 nm fabricado por Samsung Foundry. La compañía indica que esta combinación mejora la estabilidad del proceso, la capacidad de fabricación y el rendimiento productivo.

La arquitectura se basa en tecnologías previamente desarrolladas para la producción de HBM4, permitiendo optimizaciones tanto en las capas de memoria como en las de lógica.

Según Samsung, la optimización coordinada de la pila de memoria, la arquitectura del chip base y la estructura de encapsulado contribuye a mejorar la eficiencia operativa y el rendimiento térmico, al tiempo que satisface las crecientes necesidades de ancho de banda de los sistemas de inteligencia artificial.

Eficiencia energética y rendimiento térmico para centros de datos de IA
Samsung informa que las tecnologías avanzadas de diseño de bajo consumo y las mejoras en el encapsulado incrementan la eficiencia energética en un 16 % respecto a la generación anterior. Además, las características de resistencia térmica han mejorado en más de un 14 %, favoreciendo una mejor disipación del calor durante cargas de trabajo intensivas de inteligencia artificial.

A medida que los clústeres de entrenamiento de IA continúan creciendo, la gestión térmica se ha convertido en un factor crítico para el diseño de centros de datos. Los sistemas de memoria de alto ancho de banda generan importantes cargas térmicas debido a sus elevadas velocidades de transferencia y a su proximidad física con los procesadores de IA.

Las mejoras térmicas de HBM4E están destinadas a proporcionar una mayor fiabilidad operativa, menores requisitos de refrigeración y un consumo energético reducido en entornos de computación hiperescalar.

La memoria HBM amplía su papel dentro de los ecosistemas de semiconductores para IA
Según Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y responsable de desarrollo de memoria de Samsung Electronics, la introducción de HBM4E demuestra la continua inversión de la compañía en fabricación avanzada de memoria e infraestructura para el mercado de la inteligencia artificial.

Samsung tiene previsto iniciar la producción en masa de HBM4E una vez completados los procesos de cualificación y optimización con los clientes. La empresa señaló que los comentarios recibidos sobre su plataforma HBM4 han sido especialmente positivos en términos de rendimiento y eficiencia energética. HBM4 entró en producción masiva a comienzos de 2026 y alcanzó velocidades de transferencia de 11,7 Gbps durante pruebas de validación en sistemas System-in-Package.

La cartera más amplia de semiconductores de Samsung abarca tecnologías de memoria, fabricación por fundición, diseño lógico y encapsulado avanzado, permitiendo una integración más estrecha entre arquitecturas de procesamiento y memoria necesarias para las infraestructuras de inteligencia artificial.

Contexto adicional: esta sección detalla especificaciones técnicas y comparativas competitivas no incluidas en el anuncio original del producto
HBM4E pertenece a la generación más reciente de tecnologías de memoria de alto ancho de banda destinadas a aceleradores de IA, procesadores gráficos y procesadores avanzados para centros de datos. La tecnología se basa en arquitecturas DRAM apiladas conectadas mediante Through-Silicon Vias (TSV), lo que permite alcanzar anchos de banda significativamente superiores a los de los sistemas DDR convencionales.

La HBM4E de Samsung ofrece hasta 16 Gbps por pin y un ancho de banda de 3,6 TB/s por pila, frente a aproximadamente 11,7 Gbps y 3,3 TB/s de la plataforma HBM4 anterior. La configuración de 48 GB con 12 capas también incrementa la densidad de memoria en más de un 30 % respecto a la generación previa.

Entre las tecnologías competidoras se encuentran las plataformas HBM4E de SK hynix y las soluciones HBM4 de Micron, orientadas a aceleradores de inteligencia artificial de compañías como NVIDIA, AMD y Google. Los criterios habituales de comparación en este segmento incluyen ancho de banda por pila, velocidad de transferencia, densidad de memoria, eficiencia térmica y consumo energético.

Según análisis del sector, SK hynix controlaba aproximadamente el 57 % del mercado mundial de HBM a finales de 2025, seguida por Samsung con un 22 % y Micron con un 21 %. El inicio temprano del envío de muestras HBM4E fortalece la posición competitiva de Samsung en futuros despliegues de memoria para inteligencia artificial.

La utilización de un chip lógico base de 4 nm y la tecnología avanzada 1c DRAM refleja una tendencia general de la industria hacia una integración más estrecha entre funciones de memoria y lógica. Se espera que los futuros aceleradores de IA requieran sistemas de memoria aún más avanzados a medida que aumentan el tamaño de los modelos y las exigencias computacionales en inteligencia artificial generativa, aceleración de inferencia e infraestructuras de nube a gran escala.

Editado por Sucithra Mani, editora de Induportals – adaptado por IA.

www.semiconductor.samsung.com