Mouser Electronics y Ampleon anuncian acuerdo global de distribución RF
La alianza amplía la disponibilidad mundial de transistores RF avanzados de Ampleon para 5G, industria, medicina y radiodifusión.
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Mouser Electronics, Inc., el distribuidor global autorizado que ofrece los semiconductores y componentes electrónicos más novedosos, anuncia hoy un acuerdo de distribución global con Ampleon, fabricante de semiconductores especializado en innovación y tecnología de radiofrecuencia. Ampleon, con sede en Nimega (Países Bajos), ha sido líder en soluciones de alimentación de RF durante casi 60 años, con innovadoras soluciones de RF basadas en tecnologías GaN y LDMOS. El catálogo de Ampleon ofrece flexibilidad para escalar el diseño y la producción a cualquier volumen y abarca una amplia gama de aplicaciones, como la infraestructura 5G, aplicaciones industriales, médicas, de navegación, comunicaciones de radiodifusión y radio de seguridad.
Los transistores de potencia de RF LDMOS ART1K6FH y ART2K0FE de Ampleon, disponibles en Mouser, se basan en la tecnología robusta avanzada (ART, por sus siglas en inglés). Los novedosos nodos LDMOS de silicio de la serie ART están diseñados para obtener un alto nivel de ruptura de la fuente de drenaje, a la vez que mantienen una baja capacitancia de salida, lo que permite transistores robustos con alta transconductancia en el rango de frecuencia de HF a UHF. Los transistores de potencia ART1K6FH de 1600 W ofrecen un rango de frecuencia de 1 a 425 MHz, y los inigualables transistores de potencia ART2K0FE de 2000 W ofrecen un rango de frecuencia de 1 a 400 MHz. Estos dispositivos cubren una gran variedad de aplicaciones ISM, de radiodifusión y de comunicación, además de ofrecer una elevada eficiencia y una excelente estabilidad térmica/robustez sin degradación del dispositivo. Ambos dispositivos se ofrecen en encapsulados cerámicos con cavidad de aire SOT539AN, SOT539BN y SOT1248C.
Los transistores de potencia LDMOS BLF981 y BLF981S están diseñados para aplicaciones de radiodifusión, industriales, aviónica, no celulares e industriales, científicas y médicas (ISM). Su excelente robustez los hace ideales para aplicaciones de transmisores digitales y analógicos en el rango de frecuencia de HF a 1400 MHz. El BLF981 está alojado en un encapsulado SOT467C, mientras que el BLF981S está integrado en un encapsulado SOT467B, ambos con una gestión térmica estable y una gran fiabilidad a largo plazo.
El HEMT de GaN-SiC CLP24H4S30P es un transistor de potencia de 30 W de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones de onda continua (CW) en el rango de frecuencia de 2400 a 2500 MHz. Ideal para sistemas industriales, científicos, médicos y de cocina de consumo, el CLP24H4S30P de Ampleon ofrece un rendimiento energético y una estabilidad térmica excelentes. Alojado en un encapsulado compacto DFN de 7 x 7 mm para montaje en superficie, el CLP24H4S30P es ideal para diseños de amplificadores de RF compactos de alta potencia.
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