ROHM presenta un controlador de puerta aislado para HEMT GaN de alto voltaje
El controlador de puerta BM6GD11BFJ-LB de ROHM ofrece conmutación de 2 MHz con inmunidad al ruido de 150 V/ns para aplicaciones eficientes de alimentación de servidores y motores.
www.rohm.com
Con el BM6GD11BFJ-LB, ROHM ha desarrollado un circuito integrado controlador de puerta aislada especialmente optimizado para el funcionamiento de HEMT HV-GaN. En combinación con componentes de GaN, este driver permite un funcionamiento estable en condiciones de alta frecuencia y conmutación rápida, contribuyendo así a una mayor miniaturización y eficiencia en aplicaciones de alta corriente, como motores y fuentes de alimentación para servidores.
Con el aumento del consumo de energía en todo el mundo, las medidas de ahorro energético se han convertido en una prioridad mundial común. Se calcula que los motores y las fuentes de alimentación representan por sí solos el 97% del consumo mundial de electricidad. Para lograr una mayor eficiencia en estos sistemas, cada vez es más necesario utilizar dispositivos de banda ancha como el SiC y el GaN.
Aprovechando su experiencia en el desarrollo de circuitos integrados de controladores de puerta aislados para semiconductores de silicio y dispositivos SiC, ROHM ha presentado este nuevo circuito integrado como el primero de una serie de soluciones de controladores de puerta aislados para dispositivos GaN. La transmisión fiable de la señal se consigue aislando el dispositivo del circuito de control durante las operaciones de conmutación con ciclos rápidos de subida y bajada de tensión.
El BM6GD11BFJ-LB utiliza tecnología propia de aislamiento en chip para reducir la capacitancia parásita, lo que permite un funcionamiento a alta frecuencia de hasta 2 MHz. Esto maximiza las capacidades de conmutación de alta frecuencia de los dispositivos GaN y no solo contribuye a una mayor eficiencia energética y rendimiento en las aplicaciones, sino que también reduce el área de montaje al minimizar el tamaño de los componentes periféricos.
Al mismo tiempo, el CMTI (Common-Mode Transient Immunity, inmunidad a transitorios en modo común, un indicador de la inmunidad al ruido en circuitos integrados de los controladores de puerta aislados del ruido) se ha incrementado hasta 150 V/ns. Este valor es aproximadamente 1,5 veces superior al de los productos convencionales, lo que evita averías causadas por los altos slew rate típicos de los circuitos HEMT de GaN. La anchura mínima de pulso se ha reducido a sólo 65 ns, un 33% inferior a la de los productos convencionales. Estas mejoras de rendimiento permiten un funcionamiento estable y fiable a frecuencias más altas, al tiempo que minimizan la pérdida de potencia gracias a un mejor control del ciclo de trabajo.
Con un rango de tensión de accionamiento de puerta de 4,5 V a 6,0 V y una tensión de aislamiento de 2500 Vrms, el BM6GD11BFJ-LB está diseñado para admitir una amplia gama de dispositivos GaN de alto voltaje, incluido el nuevo HEMT EcoGaN™ de 650 V de ROHM. El bajo consumo de corriente en el lado de salida de 0,5 mA (máx.), líder del sector, también reduce la potencia en espera y, por tanto, mejora la eficiencia global del sistema.
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