ROHM desarrolla MOSFETs de alta potencia y baja resistencia en conducción líderes en su clase para servidores empresariales y de IA de alto rendimiento
ROHM ha desarrollado MOSFETs de potencia de canal N que presentan una baja resistencia en conducción líder en la industria y una amplia capacidad SOA.
www.rohm.com
El avance de las tecnologías de procesamiento de datos de alto nivel y la aceleración de la transformación digital han aumentado la demanda de servidores para centros de datos. Al mismo tiempo, el número de servidores equipados con capacidades informáticas avanzadas para el procesamiento de IA va en aumento y se espera que el crecimiento continúe. Estos servidores funcionan 24 horas al día y 7 días a la semana para garantizar un funcionamiento continuo. Como resultado, las pérdidas por conducción causadas por la resistencia en conducción de múltiples MOSFET en el bloque de potencia tienen un impacto significativo en el rendimiento del sistema y la eficiencia energética. Esto resulta especialmente evidente en los circuitos de conversión CA-CC, en los que las pérdidas por conducción constituyen una parte sustancial de la pérdida total de potencia, lo que impulsa la necesidad de disponer de MOSFET de baja resistencia en conducción.
Además, los servidores equipados con una función estándar de sustitución en caliente, que permiten sustituir y mantener las placas internas y los dispositivos de almacenamiento mientras están encendidos, experimentan una elevada corriente de irrupción durante los intercambios de componentes. Por lo tanto, para proteger los componentes de los servidores y los MOSFET de posibles daños, es esencial una amplia tolerancia del área de funcionamiento seguro (SOA, por sus siglas en inglés).
Para hacer frente a estos retos, ROHM ha desarrollado su nuevo encapsulado DFN5060-8S, que permite el encapsulado de un chip de mayor tamaño en comparación con los diseños convencionales, lo que da como resultado una gama de MOSFET de potencia que alcanzan una baja resistencia en conducción líder en la industria* junto con una amplia capacidad SOA. Estos nuevos productos contribuyen significativamente a mejorar la eficiencia y aumentar la fiabilidad de los circuitos de alimentación de los servidores.
La nueva gama de productos incluye tres productos. El RS7E200BG (30 V) está optimizado tanto para circuitos de conversión CA-CC del lado secundario como para circuitos de controlador de sustitución en caliente (HSC, por sus siglas en inglés) en fuentes de alimentación de 12 V utilizadas en servidores empresariales de alto rendimiento. Los RS7N200BH (80 V) y RS7N160BH (80 V) son ideales para circuitos secundarios de conversión CA-CC en fuentes de alimentación de servidores de IA de 48 V.
Los tres modelos incorporan el nuevo encapsulado DFN5060-8S (5,0 mm × 6,0 mm). El encapsulado aumenta el área interna del chip en aproximadamente un 65 % en comparación con el encapsulado HSOP8 convencional (5,0 mm × 6,0 mm). Como resultado, el RS7E200BG (30 V) y el RS7N200BH (80 V) alcanzan resistencias en conducción de 0,53 mΩ y 1,7 mΩ (a VGS = 10 V), respectivamente, ambas entre las mejores de la industria en la clase de 5,0 mm × 6,0 mm, lo que contribuye significativamente a una mayor eficiencia en los circuitos de alimentación de servidores.
Además, ROHM ha optimizado el diseño del clip interno para mejorar la disipación del calor, mejorando aún más la tolerancia SOA, lo que contribuye a garantizar la fiabilidad de la aplicación. En particular, el RS7E200BG (30 V) alcanza una tolerancia SOA de más de 70 A con una anchura de impulsos de 1 ms y VDS = 12 V, el doble que los MOSFET de encapsulado HSOP8 convencionales en las mismas condiciones, lo que garantiza un rendimiento SOA líder en la industria en un tamaño de 5,0 mm × 6,0 mm.
De cara al futuro, ROHM tiene previsto iniciar gradualmente la producción en masa de MOSFET de potencia compatibles con circuitos de controlador de sustitución en caliente para servidores de IA en 2025, ampliando así su gama que contribuye a una mayor eficiencia y fiabilidad en un amplio rango de aplicaciones.
Gama de productos
Marca EcoMOS™
- EcoMOS™ es la marca de MOSFETs de potencia de silicio de ROHM diseñada para aplicaciones de eficiencia energética en el sector de los dispositivos de potencia.
- Ampliamente utilizada en aplicaciones como electrodomésticos, equipos industriales y sistemas de automoción, EcoMOS™ ofrece una gama diversa que permite la selección de productos en función de parámetros clave como el rendimiento acústico y las características de conmutación para satisfacer requisitos específicos.
- EcoMOS™ es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd.
Ejemplos de aplicación
- Circuitos de conversión CA-CC y circuitos HSC para fuentes de alimentación de 12 V para servidores empresariales de alto rendimiento
- Circuitos de conversión CA-CC para fuentes de alimentación de servidores de IA de 48 V
- Fuentes de alimentación de 48 V para equipos industriales (por ejemplo, motores de ventiladores)
