Los nuevos CI de etapa de potencia EcoGaN de ROHM contribuyen a disminuir el tamaño y a reducir las pérdidas

Reduce el volumen de componentes en un 99 % y las pérdidas de potencia en un 55 % al sustituir a los MOSFET de silicio.

ROHM ha desarrollado los CI de etapa de potencia con HEMTs de GaN integrados de 650 V y Gate driver: la serie BM3G0xxMUV-LB. Los dispositivos son ideales para fuentes de alimentación primarias dentro de aplicaciones industriales y de consumo, como servidores de datos y adaptadores de CA.




En los últimos años, los sectores industrial y de consumo vienen exigiendo ahorros de energía cada vez mayores con el fin de lograr una sociedad sostenible. No obstante, aunque la expectativa es que los HEMT de GaN contribuyan significativamente a una mayor miniaturización y a mejorar la eficiencia de la conversión de energía, la dificultad en el manejo de la compuerta en comparación con los MOSFET de silicio exige el uso de un Gate driver específico. En respuesta a esta situación, ROHM ha desarrollado los CI de etapa de potencia que integran los HEMT de GaN y los Gate drivers en un único encapsulado al aprovechar las tecnologías analógicas y de potencia básicas, lo que facilita considerablemente el montaje.

Además, la serie BM3G0xxMUV-LB (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) incorpora funciones adicionales y componentes periféricos diseñados para maximizar el rendimiento de los HEMT de GaN junto con los HEMT de GaN de 650 V: la nueva generación de dispositivos de potencia. Y las características de ROHM, como un amplio rango de tensión de accionamiento (de 2,5 V a 30 V), permiten la compatibilidad con prácticamente cualquier CI de controlador en fuentes de alimentación primarias, lo que facilita la sustitución de los MOSFET de silicio (Super Junction) existentes. Esto permite reducir simultáneamente el volumen de los componentes y la pérdida de potencia en aproximadamente un 99 % y un 55 %, respectivamente, logrando una mayor eficiencia en un tamaño más reducido.

ISAAC LIN, director general, PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center), Delta Electronics, Inc.
«Los dispositivos de GaN están suscitando una gran atención en las industrias por tratarse de dispositivos que contribuyen en gran medida a la miniaturización y el ahorro energético de los equipos.

Los nuevos productos de ROHM han conseguido un accionamiento de compuerta seguro y de alta velocidad al utilizar la tecnología analógica original de ROHM. Estos productos seguirán fomentando el uso de dispositivos de potencia de GaN, para los cuales se espera un mayor crecimiento».







Gama de productos
Un amplio rango de tensión de accionamiento (de 2,5 V a 30 V), un retardo de propagación corto y un tiempo de arranque rápido permiten la compatibilidad con prácticamente cualquier CI de controlador en fuentes de alimentación primarias.




Ejemplos de aplicación
Optimizados para fuentes de alimentación primarias (CA-CC, circuitos de corrección de factor de potencia (PFC)) en una amplia gama de aplicaciones.

Gran público: electrodomésticos, adaptadores de CA, PC, TV, frigoríficos, aires acondicionados
Industrial: servidores, equipos ofimáticos

Información de ventas en línea
Distribuidores: DigiKey Mouser y Farnell Los productos y placas de evaluación serán ofrecidos por otros distribuidores en línea a medida que estén disponibles.

Fecha de inicio de venta: junio de 2023

Información sobre el producto
N.º de pieza aplicables:
BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB

N.º de pieza de placas de evaluación:
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240 W)

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003




EcoGaN™
Es la nueva gama de dispositivos de GaN de ROHM que contribuyen al ahorro de energía y a la miniaturización al maximizar las características del GaN para lograr un menor consumo de energía en las aplicaciones, unos componentes periféricos más pequeños y diseños más sencillos que requieren menos piezas.

www.rohm.com

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