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Omron Components News
Omron amplía su gama de módulos de relés MOSFET con bajas corrientes de fuga
Los módulos T de Omron reúnen las ventajas de la tecnología de relés mecánicos y MOSFET. Omron Electronic Components Europe ha anunciado nuevas versiones para tensión y corriente elevadas de sus innovadores módulos de relés MOSFET con configuración en T.
Los módulos T de Omron ofrecen la excepcional fiabilidad y durabilidad de los relés de estado sólido y una corriente de fuga excepcionalmente baja de solo 1 pA o menos, lo cual permite su uso en aplicaciones de medida o de otro tipo que antes necesitaban recurrir a relés mecánicos.
El nuevo G3VM-61MT de Omron se caracteriza por una corriente de carga de 800 mA y el G3VM-101MT ofrece una tensión de carga de 100 V. Ambos se unen al G3VM-21MT de alto aislamiento. La corriente de fuga excepcionalmente baja de estos dispositivos se obtiene gracias a una estructura exclusiva de circuito en T * que envía la mayor parte de la corriente de fuga a la toma de tierra. Los módulos T de Omron combinan de manera efectiva las ventajas de los relés mecánicos y MOSFET para proporcionar una solución de conmutación precisa, compacta y de larga duración sin contactos mecánicos.
Una aplicación fundamental de los módulos es la medida precisa en todo tipo de equipos de prueba donde antes se usaban relés mecánicos debido a su baja corriente de fuga. Sin embargo, la vida útil de estos es mucho más corta ya que la abrasión de los contactos reduce la exactitud de las medidas con el paso del tiempo. Si el uso es intensivo es posible que necesario sustituirlos con frecuencia, aumentando así los costes de mantenimiento.
El tamaño compacto de 5 mm x 3,75 mm x 2,7 mm es posible gracias a la incorporación del circuito en T al módulo. Estos dispositivos de montaje superficial se suministran en SPST y no requieren configuración. Las características de carga eléctrica de los nuevos dispositivos son 800 mA / 60 V para el G3VM-61MT y 550 mA / 100 V para el G3VM-101MT. El G3VM-21MT se caracteriza por su excepcional aislamiento de menos de - 30dB a 1 GHz con valores nominales de 200 mA / 20 V.
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