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Conmutadores de alta velocidad preservan la integridad de señal a 64 GT/s
Toshiba aborda interfaces de datos avanzadas con mayor ancho de banda y un rendimiento fiable en entornos industriales exigentes.
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Toshiba ha presentado el TDS5B212MX y el TDS5C212MX, dos conmutadores multiplexores y demultiplexores de alta velocidad diseñados para infraestructuras digitales y aplicaciones industriales. Estos componentes facilitan una integridad de señal estable para servidores empresariales, sistemas robóticos y probadores industriales que operan bajo condiciones térmicas extremas.
Áreas de Aplicación y Contexto Operativo
A medida que aumentan los requisitos de procesamiento de datos en la cadena de suministro industrial, mantener la integridad de la señal a altas frecuencias se ha convertido en una restricción de ingeniería principal. Los conmutadores de enrutamiento recientemente lanzados están diseñados para soportar velocidades de datos rápidas de hasta 64 gigatransferencias por segundo. Esta capacidad es fundamental para los ingenieros de hardware que desarrollan servidores empresariales, probadores industriales automatizados y sistemas de control robótico que dependen de protocolos de comunicación de alto ancho de banda. Al permitir la conmutación dinámica de las rutas de señal, los componentes permiten que múltiples dispositivos receptores compartan una única interfaz de alta velocidad, optimizando la arquitectura a nivel de placa en dispositivos conectados y matrices de computación de alta densidad.
Especificaciones Técnicas y Mecanismos de Enrutamiento de Señales
Los conmutadores multiplexores utilizan un proceso de fabricación patentado de silicio sobre aislante, designado como TarfSOI, para lograr un rendimiento de alta frecuencia. El TDS5B212MX ofrece un ancho de banda diferencial típico de 29 gigahercios a un umbral de -3 decibelios, mientras que el TDS5C212MX alcanza los 34 gigahercios. Estos parámetros de ancho de banda minimizan directamente la distorsión de la señal y reducen las pérdidas de transmisión durante la transferencia de datos. La arquitectura física del TDS5C212MX incluye una disposición optimizada de pines que acorta la ruta de señal interna, lo que reduce matemáticamente las reflexiones y preserva la integridad de la señal al utilizar interfaces diferenciales avanzadas como PCIe 6.0, USB4 versión 2.0, CXL 3.x, Thunderbolt 5 y DisplayPort 2.0. Los conmutadores también mantienen la compatibilidad retroactiva con iteraciones anteriores de estos estándares de interfaz.
Implementación Física y Tolerancia Ambiental
Para el despliegue físico, ambos componentes están configurados como multiplexores de 2 entradas y 1 salida o demultiplexores de 1 entrada y 2 salidas, y se alojan en un paquete XQFN16 compacto que mide 2,4 por 1,6 por 0,4 milímetros. Este factor de forma aborda las restricciones espaciales típicas de los diseños de placas de circuito impreso de alta densidad que se encuentran en la electrónica móvil y los sensores industriales. Además, el rango de temperatura operativa abarca desde -40 grados hasta +125 grados Celsius, lo que permite su implementación en entornos industriales severos donde la gestión térmica y la disipación de calor son factores de diseño significativos.
Contexto Adicional
Esta sección detalla especificaciones técnicas y evaluaciones comparativas competitivas no incluidas en el comunicado de prensa original.
En el mercado de conmutadores diferenciales de alta velocidad, la transición a PCIe 6.0 y USB4 versión 2.0 requiere componentes capaces de manejar la señalización de modulación de amplitud de pulso de 4 niveles sin inducir una pérdida de inserción severa. El ancho de banda de 34 gigahercios del TDS5C212MX lo posiciona directamente junto a las soluciones de conmutación avanzadas de competidores como Texas Instruments y Diodes Incorporated, que ofrecen multiplexores similares dirigidos al umbral de 64 gigatransferencias por segundo. Mientras que los multiplexores estándar a menudo exhiben una pérdida de inserción significativa a frecuencias superiores a 20 gigahercios, el uso de un proceso de silicio sobre aislante ayuda a mantener un rendimiento lineal y una baja capacitancia parásita en el rango de temperatura industrial ampliado de -40 a +125 grados Celsius.
Editado por Aishwarya Mambet, editora de Induportals, con asistencia de IA.
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