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Convertidores DC-DC aislados de montaje en superficie para circuitos de accionamiento de compuerta

Murata presenta la serie MGJ1T de convertidores DC-DC aislados a 6 kVDC para sistemas de almacenamiento de energía de alta tensión y accionamiento de motores.

  www.murata.com
Convertidores DC-DC aislados de montaje en superficie para circuitos de accionamiento de compuerta

Murata Manufacturing ha desarrollado la serie MGJ1T de convertidores DC-DC de 1 W para montaje en superficie (SMD) destinados a la alimentación de circuitos de accionamiento de compuerta (gate drive) en configuraciones de lado alto (high-side) y lado bajo (low-side). Esta serie de componentes está diseñada para aplicaciones de alta tensión, tales como sistemas de almacenamiento de energía y accionamientos de motores industriales, y se exhibe en la feria PCIM 2026 en Núremberg, Alemania, del 9 al 11 de junio.

Requisitos de tensión y rendimiento de aislamiento
Para dar soporte al aumento de las tensiones del sistema en microrredes e infraestructuras de recarga de vehículos eléctricos, los convertidores utilizan una tecnología de transformador de bobina de bloque (block-coil). Los dispositivos de 1 W admiten tensiones de entrada nominales de 12 V, 15 V y 24 V, proporcionando salidas dobles reguladas de +15 V/-3 V, +15 V/-5 V y +18 V/-2.5 V. El hardware se prueba al 100 % a 6 kVDC durante un segundo y está calificado al mismo nivel durante un minuto. Reconocidas bajo la norma UL62368-1, las unidades cuentan con aislamiento reforzado con una tensión de resistencia continua de la barrera de 2.2 kVDC y una tensión de trabajo de 800 Vrms. La construcción interna alcanza los 14 mm de distancia de fuga (creepage) y de espacio libre (clearance).

Estabilidad de conmutación y reducción de ruido
La serie se caracteriza por una inmunidad a los transitorios en modo común (CMTI) que supera los 200 kV/µs. En combinación con una capacitancia de aislamiento típica de 2.5 pF, esta métrica reduce el acoplamiento de ruido de alta frecuencia a través de la barrera de aislamiento, lo que permite operaciones de conmutación estables en diseños de circuitos de carburo de silicio (SiC). Al operar a una frecuencia de conmutación de 700 kHz, los convertidores alcanzan una eficiencia de hasta el 77 % con un rizado y ruido típicos de 10 mVs-s (ripple and noise de 10 mVp-p). El hardware mantiene la regulación de la tensión ante diversas condiciones de carga y admite el arranque en cargas capacitivas.

Pruebas ambientales y ensamblaje
Los convertidores funcionan en un rango de temperatura extendido que va desde los -40 °C hasta los +115 °C. Los dispositivos se han sometido a evaluaciones de descargas parciales para identificar defectos de aislamiento a nivel micrométrico, además de pruebas ambientales bajo el estándar JEDEC que abarcan humedad, vibración, choque y 1,000 ciclos térmicos entre -40 °C y +125 °C. Fabricada en el Reino Unido, la serie MGJ1T se presenta en formato de cinta y carrete (tape-and-reel) para montaje en superficie, siendo compatible con procesos automatizados de ensamblaje por reflujo libre de plomo (Pb-free).

Contexto adicional: Esta sección detalla especificaciones técnicas y comparativas competitivas no incluidas en el anuncio original del producto.
En el sector de la electrónica de potencia, los convertidores DC-DC de 1 W diseñados para accionamientos de compuerta de SiC e IGBT compiten principalmente en tensión de aislamiento, capacitancia de acoplamiento e inmunidad a los transitorios en modo común (CMTI). Productos comparables, como la serie Mornsun QA o las series R-REF y RKZ de RECOM Power, proporcionan salidas dobles asimétricas similares, necesarias para polarizar de forma segura los MOSFET de SiC. Un valor de CMTI que supera los 200 kV/µs se considera un referente de gama alta, imprescindible para evitar falsos disparos causados por los transitorios de conmutación de alta tensión extremadamente rápidos que caracterizan a los componentes de SiC. Asimismo, mantener una capacitancia de aislamiento en torno a los 2.5 pF es fundamental para minimizar las interferencias electromagnéticas (EMI) y las corrientes de fuga a través de la barrera de aislamiento.

Editado por Lekshman Ramdas, editor de Induportals – adaptado por IA.

www.murata.com

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