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ROHM presenta MOSFET SiC de 5ª generación para mejorar la eficiencia
Los nuevos dispositivos reducen la resistencia en conducción en un 30 % a altas temperaturas, mejorando la conversión de energía en vehículos eléctricos, servidores de IA y sistemas industriales.
www.rohm.com
La electrónica de potencia, la movilidad eléctrica y la infraestructura energética dependen cada vez más de tecnologías de semiconductores de alta eficiencia. En este contexto, ROHM Co., Ltd. ha desarrollado sus MOSFET SiC de 5ª generación dentro de la serie EcoSiC™, diseñados para reducir las pérdidas de energía y mejorar el rendimiento en aplicaciones de alta potencia como los sistemas de propulsión de vehículos eléctricos, las fuentes de alimentación para servidores de IA y los sistemas energéticos industriales.
Los nuevos dispositivos se basan en la tecnología de carburo de silicio (SiC), que está ganando adopción debido a su capacidad para manejar altos voltajes, temperaturas y frecuencias de conmutación de manera más eficiente que los componentes convencionales basados en silicio.
Reducción de la resistencia en conducción para operación a alta temperatura
Una mejora clave en los MOSFET SiC de 5ª generación es la reducción de la resistencia en conducción en aproximadamente un 30 % a una temperatura de unión de 175 °C en comparación con los dispositivos de la generación anterior (4ª), bajo condiciones equivalentes de voltaje y tamaño de chip.
Esta reducción se logra mediante mejoras estructurales y procesos de fabricación optimizados, lo que da como resultado:
- Menores pérdidas por conducción: Mejora de la eficiencia en sistemas de conversión de potencia
- Mayor densidad de potencia: Incremento de la capacidad de salida dentro del mismo tamaño
- Mejor rendimiento térmico: Funcionamiento estable en entornos de alta temperatura
Estas características son especialmente relevantes para aplicaciones como los inversores de tracción en vehículos eléctricos, donde la gestión térmica y la eficiencia impactan directamente en la autonomía y el tamaño del sistema.
Soporte para aplicaciones de alta potencia en distintos sectores
Los últimos MOSFET SiC están diseñados para una amplia gama de aplicaciones que requieren una conversión de energía eficiente:
Soporte para aplicaciones de alta potencia en distintos sectores
Los últimos MOSFET SiC están diseñados para una amplia gama de aplicaciones que requieren una conversión de energía eficiente:
- Sistemas automotrices: Inversores de tracción, cargadores a bordo (OBC), convertidores DC-DC y compresores eléctricos en xEV
- Equipos industriales: Fuentes de alimentación para servidores de IA y centros de datos, inversores fotovoltaicos y sistemas de almacenamiento de energía
- Movilidad avanzada y automatización: Aplicaciones como sistemas eVTOL y servomotores de CA
La creciente demanda de computación de alto rendimiento y electrificación está impulsando la necesidad de componentes que minimicen las pérdidas de energía mientras soportan mayores densidades de potencia.
Abordando los desafíos de eficiencia energética en la infraestructura moderna
El crecimiento de la IA generativa y de las aplicaciones intensivas en datos está aumentando la demanda energética de los centros de datos y los sistemas industriales. Al mismo tiempo, la integración de fuentes de energía renovable en redes inteligentes requiere tecnologías eficientes de conversión y almacenamiento de energía.
Los dispositivos SiC desempeñan un papel clave en estos entornos al reducir las pérdidas durante la conversión de energía, contribuyendo a un uso más eficiente de la energía disponible y apoyando un funcionamiento estable bajo condiciones de alta carga.
Evolución de la tecnología SiC y adopción en el mercado
ROHM ha estado activo en el desarrollo de SiC desde que inició la producción en masa de MOSFET SiC en 2010. Sus dispositivos anteriores de 4ª generación han sido ampliamente adoptados en aplicaciones automotrices e industriales, respaldados por el cumplimiento de estándares como AEC-Q101 para la fiabilidad automotriz.
La introducción de la 5ª generación marca un paso adicional hacia una adopción más amplia de la tecnología SiC, especialmente a medida que la industria avanza hacia una mayor eficiencia y diseños de sistemas más compactos.
Disponibilidad y desarrollo futuro
ROHM comenzó a ofrecer versiones bare die de los MOSFET SiC de 5ª generación en 2025, con el desarrollo completo finalizado en marzo de 2026. Los envíos de muestras de dispositivos discretos y módulos están programados para comenzar en julio de 2026.
La empresa planea ampliar la gama de productos con clasificaciones de voltaje adicionales y opciones de encapsulado, junto con el desarrollo continuo de herramientas de diseño y soporte de aplicaciones para facilitar la integración en diversos sistemas de electrónica de potencia.
Al mejorar la eficiencia y permitir un mayor rendimiento en aplicaciones exigentes, los últimos MOSFET SiC contribuyen al avance de las soluciones de electrónica de potencia en los sectores automotriz, industrial y energético.
Editado por Natania Lyngdoh, editora de Induportals — Adaptado por IA.
www.rohm.com
Abordando los desafíos de eficiencia energética en la infraestructura moderna
El crecimiento de la IA generativa y de las aplicaciones intensivas en datos está aumentando la demanda energética de los centros de datos y los sistemas industriales. Al mismo tiempo, la integración de fuentes de energía renovable en redes inteligentes requiere tecnologías eficientes de conversión y almacenamiento de energía.
Los dispositivos SiC desempeñan un papel clave en estos entornos al reducir las pérdidas durante la conversión de energía, contribuyendo a un uso más eficiente de la energía disponible y apoyando un funcionamiento estable bajo condiciones de alta carga.
Evolución de la tecnología SiC y adopción en el mercado
ROHM ha estado activo en el desarrollo de SiC desde que inició la producción en masa de MOSFET SiC en 2010. Sus dispositivos anteriores de 4ª generación han sido ampliamente adoptados en aplicaciones automotrices e industriales, respaldados por el cumplimiento de estándares como AEC-Q101 para la fiabilidad automotriz.
La introducción de la 5ª generación marca un paso adicional hacia una adopción más amplia de la tecnología SiC, especialmente a medida que la industria avanza hacia una mayor eficiencia y diseños de sistemas más compactos.
Disponibilidad y desarrollo futuro
ROHM comenzó a ofrecer versiones bare die de los MOSFET SiC de 5ª generación en 2025, con el desarrollo completo finalizado en marzo de 2026. Los envíos de muestras de dispositivos discretos y módulos están programados para comenzar en julio de 2026.
La empresa planea ampliar la gama de productos con clasificaciones de voltaje adicionales y opciones de encapsulado, junto con el desarrollo continuo de herramientas de diseño y soporte de aplicaciones para facilitar la integración en diversos sistemas de electrónica de potencia.
Al mejorar la eficiencia y permitir un mayor rendimiento en aplicaciones exigentes, los últimos MOSFET SiC contribuyen al avance de las soluciones de electrónica de potencia en los sectores automotriz, industrial y energético.
Editado por Natania Lyngdoh, editora de Induportals — Adaptado por IA.
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