El IC EcoGaN de ROHM permite adaptadores de CA compactos y de alta potencia
El circuito integrado de etapa de potencia EcoGaN de ROHM en los adaptadores de CA compactos de Delta mejora la eficiencia y el suministro de energía para los portátiles gaming de alto rendimiento de MSI.
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ROHM anuncia que su circuito integrado de etapa de potencia EcoGaN™ se ha adoptado en el adaptador de CA para productos MSI, incluidos portátiles gaming.
El adaptador de CA, desarrollado por Delta Electronics, líder mundial en soluciones de gestión de energía, integra el circuito integrado de etapa de potencia EcoGaN™ «BM3G005MUV-LB» de ROHM, que ofrece un funcionamiento de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en conducción. Esta colaboración, combinada con la experiencia superior de Delta en el diseño de fuentes de alimentación y sus tecnologías punteras para la gestión eficiente de la energía, permite una reducción sustancial del tamaño y un ahorro de energía en comparación con los adaptadores convencionales.
Gracias a la integración del circuito integrado de etapa de potencia EcoGaN™, los adaptadores de CA diseñados por Delta para los productos MSI pueden proporcionar una alta potencia de salida y mantener la potencia máxima durante un determinado periodo de tiempo. Esto garantiza un suministro de energía estable incluso en condiciones de alta carga, típicas de los entornos de juego que requieren un alto rendimiento.
A medida que los portátiles para juegos siguen evolucionando con las GPU y CPU cada vez más potentes, su consumo de energía también va en aumento. Esta tendencia exige adaptadores de CA capaces de suministrar alta potencia y, al mismo tiempo, satisfacer las expectativas de portabilidad del usuario gracias a la miniaturización.
Los dispositivos de GaN, conocidos por su baja resistencia en conducción y sus características de conmutación de alta velocidad, están atrayendo la atención por su capacidad para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación y reducir el tamaño de componentes periféricos como los inductores. El circuito integrado de etapa de potencia de ROHM integra un HEMT de GaN de 650 V, un controlador de compuerta, funciones de protección y componentes periféricos en un único encapsulado, lo que permite maximizar el rendimiento del HEMT de GaN simplemente sustituyendo a los MOSFET de silicio convencionales.
Red Lin, General Manager de la unidad de negocio Edge Computing Power, Delta Electronics, Inc.: «La combinación de las soluciones de fuente de alimentación de última generación de Delta y el circuito integrado de etapa de potencia EcoGaN™ de ROHM ha permitido un elevado suministro de potencia, una eficiencia energética óptima y la miniaturización adecuada en este adaptador de CA para ordenadores portátiles de juegos». Estamos orgullosos de que esta solución se haya adoptado en los productos de MSI, una marca reconocida a nivel mundial. Esperamos continuar nuestra colaboración con ROHM, una empresa con gran experiencia en la tecnología GaN, para proporcionar a los clientes la próxima generación de soluciones de alimentación energéticamente eficientes de Delta».
Satoru Nate, Division Manager, división Power GaN Solution y Product Development, sede de desarrollo de LSI, ROHM Co., Ltd.: «Delta Electronics y ROHM colaboran desde hace tiempo en el campo de los sistemas de potencia. Estamos encantados de que esta adopción refleje la exitosa integración de la experiencia en diseño de potencia de Delta con el desarrollo de dispositivos de potencia, la fabricación y las tecnologías de fuentes de alimentación analógicas de ROHM. De cara al futuro, nuestro objetivo es contribuir a la miniaturización y la eficiencia de las fuentes de alimentación no solo en los PC para juegos, sino también en servidores, equipos industriales y aplicaciones de automoción».
Circuito integrado de etapa de potencia HEMT de GaN
Los circuitos integrados de etapa de potencia HEMT de GaN de ROHM proporcionan una solución óptima para todos los sistemas electrónicos que requieren alta densidad de potencia y eficiencia. Un HEMT de GaN y un controlador de accionamiento de compuerta optimizado para maximizar el rendimiento del HEMT de GaN se incluyen en un solo encapsulado. Con un amplio rango de tensión de entrada de 2,5 V a 30 V, puede combinarse con cualquier circuito integrado de controlador. Este circuito integrado está diseñado para adaptarse a los principales controladores existentes, por lo que también puede utilizarse para sustituir a los interruptores de potencia discretos tradicionales, como el MOSFET de superconexión.
EcoGaN™ de ROHM
La marca de ROHM para dispositivos de GaN que contribuyen a la preservación de la energía y a la miniaturización maximizando las características del GaN para lograr un menor consumo de energía de las aplicaciones, componentes periféricos más pequeños y diseños más sencillos que requieren menos piezas.
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